AI驱动的内存创新TSMC和三星铅存储技术占据了数

内存和存储技术的全球新兴记忆正在迅速扩展，而TSMC，三星，Micron和Intel等巨型半导体正在与专业的IP供应商合作，以积极促进先进的非挥发性内存解决方案的商业化。本文指出：在过去的两年中，相变（PCM）变化，电阻随机访问（RRAM）以及自动转移矩磁敏感记忆（STT-MRAM）从实验室转移到第二个22节点节点的测试阶段，并使用了3D技术3D技术的3D技术的延迟，稳定性和能源效率的传统dramn and nand flashs flass and nand flashs of nand and nand blind shernand sherand sherand sherand sherand blind shord s。在TSMC，Samsung，Micron和Intel等行业领导者的合作中，R＆D投资每年超过50亿美元，加速了新材料和流程的成熟度。新兴的回忆已经开始运送到超大数据中心，业务存储和自动控制单元，表明市场已经进入了关键验证指向完全商业化。根据研究和市场的一份报告，该市场目前处于其增长的早期阶段。尽管大多数早期采用者都是高度云运营商和AI加速器制造商，但在自动和工业对象互联网上的最新应用清楚地表明，这些市场在市场上具有更大的空间。在减少制造和技术成本时，希望在未来两到三年内，新兴的记忆市场将进入快速缺席的时期，并实现基本应用。市场竞争主要由Micron，Samsung，Intel，SK Hynix和WD等制造商主导。同时，横梁和应用材料等创新者还促进了技术的新材料和过程，并通过战略联盟和收购来塑造新的市场结构。在应用级别上，电子消费者是一个重要领域。按照技术，非易失性记忆被评为领导者。由于政府基础设施的需求和支持，预计亚太地区将成为主要的生产中心。市场增长的主要驱动力来自对高速和低功率记忆以及AI/ML的爆炸性增长和HPC的爆炸性增长。但是，与传统体系结构集成在一起的制造和PComplexity的高成本仍然是主要的挑战。