SMFA系列不对称电视二极管对SIC MOSFET门的绝佳保护

简介：碳化硅（SIC）MOSFET在电源场和电子电源中更广泛地使用。随着功率半导体场的发展，损失的转移也继续减少。通过不断增加的移动速度，设计人员应更加关注MOSFET驾驶门，以确保安全控制MOSFET，防止寄生传导并防止损坏的功率半导体。 MOSFET门的敏感结构应受到保护，免受多余的电压。 Littelfuse提供了出色的保护解决方案，可以帮助最大化电力供应的寿命，可靠性和稳定性。 Gate Driver设计衡量标准有很多问题，值得考虑SIC-MOSFET驱动器电路的稳定性。当卡拉德（Karadd）遵守驾驶员安全切换半导体的主要任务时，不同的驾驶员也提供了简短的电路保护。此外，使用适当的设计步骤，例如应用负门Vol，这一点很重要tage to Off-State以防止寄生开关。门的负电压可确保MOSFET门阈值电压的偏移增加，并提高电压电压下单元转移的免疫力。另一个指挥提案是保护MOSFET门，以防止由静电释放事件（ESD）或寄生虫在电路上造成的过度电压冲浪。图1使用两个独立的电视二极管对标准门保护进行比较，并具有集成的不对称SMFA TVS二极管选择Littelfuse SMFA不对称系列电视二极管二极管二极管保护SIC-MOSFET门，可从正面和负极过电压下进行。根据最大SIC-MOSFET门等级的要求电压，可以从17.6〜23.4 V的正击穿电压中选择SMFA软件包，而负分解电压设置为7.15V。有关成分的详细信息，请参见表1。根据IEC 61000-4-2标准对SMFA不对称电视进行了测试，并在Sod-中进行了测试。123FL平面包装。图2 SMFA型集成的不对称电视二极管结论是新的联合系列不对称电视SMFA，Littelfuse提供了一种创新的解决方案，使SIC MOSFET GATE驱动器电路的稳定性有益，同时实现较小的PCB Space和Minimal Amimal Amimal Actimal Immiral Immiral Imparts的稳定性。